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姓名: 王焕华
部门:

多学科中心

邮箱:
wanghh@ihep.ac.cn
电话: 010-88235994

  简  介

  王焕华,男,1995年在山东大学物理系获得物理学学士学位;2001年在中科院物理所获得光学专业博士学位;2001-2003在康奈尔大学做博士后,参与CHESS G3实验站的搭建,并开展氧化物薄膜的同步辐射时间分辨X射线散射研究;2003-2004在佐治亚大学做研究助理,开展纳米结构的掠角脉冲激光沉积法制备和结构研究;2004年10月至今在中科院高能所从事同步辐射X射线散射方法学及其应用研究,这期间分别于2005年11月-20016年11月在斯坦福国际研究院(SRI International)从事合作访问研究,2012年2月-2014年4月在伊利诺伊大学香槟分校做访问学者,利用APS的设备开展低维材料的表面散射研究。在从事同步辐射线站工作的同时,从2007年以来,他在中国科学院大学(前中科院研究生院)承担《X射线晶体学》教学任务。

招生方向:1) 光与物质的相互作用及其在凝聚态物理中的应用:同步辐射(共振、表面)X射线散射、衍射、反射、驻波、偏振分析方法学与仪器发展与应用; 2) 薄膜与异质结的制备、结构与物性关系研究:原子尺度上的生长机理与表面过程;促进层状生长的物理效应;界面结构分析;宽禁带化合物半导体的缺陷结构;p型透明导电氧化物薄膜;低维材料的量子相变。

研究领域及主要研究成果:  
  
目前的研究领域:
1)低维材料的量子相变研究;
2)p型透明导电氧化物的设计、制备与表征;
3)宽禁带化合物半导体材料(ZnO、GaN)与器件的点缺陷结构研究;
4)北京高能光源(HEPS)多环境低维结构探针(MELODISP)的设计建设
主要成果:
1)参与完成了CHESS G3实验站的建设,升级了北京同步辐射1W1A漫散射线站,完成了一系列实验设施和程序建设;
2)发明了一种设计系统消光材料的方法,采用Rate Equation模型计算解释了薄膜生长过程中的时间分辨X射线散射特征;
3)首次设计合成了n型Sb-doped SrTiO3透明导电氧化物薄膜,首次制备了SnO2:Ga/SnO2:Sb透明同质pn结二极管;
4)合作发明了基于铁磁共振的射频识别码(RFID),获得了国际专利;
5)合作发现了Bi2Te3/Si(111)-7´7界面浸润原子层的存在并解出其结构